inas材料是材料砷化铟。砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,对InAs纳米线不同晶体结构的材料生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。低有效质量、什材易形成欧姆接触等优良特征。材料
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