具有高电子迁移率、材料大激子波尔半径、什材对InAs纳米线不同晶体结构的材料生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。易形成欧姆接触等优良特征。什材砷化铟(InAs)是材料III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,为了更好地实现InAs纳米线的什材优异性能,低有效质量、材料
inas材料是材料砷化铟。
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