inas材料是材料砷化铟。大激子波尔半径、什材易形成欧姆接触等优良特征。材料低有效质量、什材具有高电子迁移率、材料为了更好地实现InAs纳米线的什材优异性能,对InAs纳米线不同晶体结构的材料生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。
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