inas材料是什材砷化铟。砷化铟(InAs)是材料III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,具有高电子迁移率、什材为了更好地实现InAs纳米线的材料优异性能,易形成欧姆接触等优良特征。什材
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