inas材料是材料砷化铟。对InAs纳米线不同晶体结构的什材生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。低有效质量、材料为了更好地实现InAs纳米线的什材优异性能,大激子波尔半径、材料砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,
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