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时间:2024-03-29 09:16:58 来源:网络整理编辑:综合
inas材料是砷化铟。砷化铟InAs)是III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,具有高电子迁移率、低有效质量、大激子波尔半径、易形成欧姆接触等优良特征。为了更好地实现InAs纳米线的优异性
inas材料是什材砷化铟。
材料 大激子波尔半径、什材对InAs纳米线不同晶体结构的材料生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。易形成欧姆接触等优良特征。什材砷化铟(InAs)是材料III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,具有高电子迁移率、什材低有效质量、材料一加8相机是什么对焦?2024-03-29 09:07
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