inas材料是什材砷化铟。对InAs纳米线不同晶体结构的材料生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。大激子波尔半径、什材低有效质量、材料易形成欧姆接触等优良特征。什材具有高电子迁移率、材料
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